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SI4288DY-T1-GE3

SI4288DY-T1-GE3

SI4288DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 40V 9.2A 8SO

nicht konform

SI4288DY-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.65600 -
5,000 $0.62520 -
12,500 $0.60320 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 9.2A
rds ein (max) @ id, vgs 20mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 15nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 580pF @ 20V
Leistung - max. 3.1W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SOIC
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Zugehörige Teilenummer

NVMFD5C470NLT1G
NVMFD5C470NLT1G
$0 $/Stück
SQS944ENW-T1_GE3
NTLJD2104PTAG
NTLJD2104PTAG
$0 $/Stück
CAB450M12XM3
CAB450M12XM3
$0 $/Stück
NVMFD5C446NT1G
NVMFD5C446NT1G
$0 $/Stück
DMN3024LSD-13

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