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SI4505DY-T1-E3

SI4505DY-T1-E3

SI4505DY-T1-E3

Vishay Siliconix

MOSFET N/P-CH 30V/8V 8-SOIC

nicht konform

SI4505DY-T1-E3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.61600 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N and P-Channel
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30V, 8V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 6A, 3.8A
rds ein (max) @ id, vgs 18mOhm @ 7.8A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 1.8V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 20nC @ 5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
Leistung - max. 1.2W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SOIC
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Zugehörige Teilenummer

SI7872DP-T1-E3
FCB20N60F
SI4914DY-T1-E3
APTC60AM242G
SI1958DH-T1-E3
NVMFD5877NLWFT3G
NVMFD5877NLWFT3G
$0 $/Stück
EPC2103ENGRT
EPC2103ENGRT
$0 $/Stück
SI5947DU-T1-E3

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