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SI4532CDY-T1-GE3

SI4532CDY-T1-GE3

SI4532CDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N/P-CH 30V 6A 8-SOIC

nicht konform

SI4532CDY-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.29662 -
5,000 $0.27738 -
12,500 $0.26775 -
25,000 $0.26250 -
0 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N and P-Channel
FET-Funktion Standard
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 6A, 4.3A
rds ein (max) @ id, vgs 47mOhm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 9nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 305pF @ 15V
Leistung - max. 2.78W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SOIC
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Zugehörige Teilenummer

HP4936DY
DMC2450UV-7
ECH8602M-TL-H
ECH8602M-TL-H
$0 $/Stück
TD9944TG-G
2N7002DW-7-F
SQJ910AEP-T1_GE3
SQJ264EP-T1_GE3
SQJQ906E-T1_GE3
SIZ340ADT-T1-GE3

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