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SI4559ADY-T1-E3

SI4559ADY-T1-E3

SI4559ADY-T1-E3

Vishay Siliconix

MOSFET N/P-CH 60V 5.3A 8-SOIC

nicht konform

SI4559ADY-T1-E3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.61041 -
5,000 $0.58175 -
12,500 $0.56128 -
0 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N and P-Channel
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 5.3A, 3.9A
rds ein (max) @ id, vgs 58mOhm @ 4.3A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 20nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 665pF @ 15V
Leistung - max. 3.1W, 3.4W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SOIC
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