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SI4562DY-T1-E3

SI4562DY-T1-E3

SI4562DY-T1-E3

Vishay Siliconix

MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC

nicht konform

SI4562DY-T1-E3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N and P-Channel
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C -
rds ein (max) @ id, vgs 25mOhm @ 7.1A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1.6V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 50nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
Leistung - max. 2W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SOIC
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Zugehörige Teilenummer

SI6993DQ-T1-GE3
SI1016X-T1-E3
SI4814BDY-T1-E3
NDS8961
SI4933DY-T1-GE3
FDW2501NZ
NDS9955
NDS9955
$0 $/Stück
MRF6V2300NR5578
MRF6V2300NR5578
$0 $/Stück

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