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SI4670DY-T1-GE3

SI4670DY-T1-GE3

SI4670DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC

SOT-23

nicht konform

SI4670DY-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.55760 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 25V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 8A
rds ein (max) @ id, vgs 23mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 18nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 680pF @ 13V
Leistung - max. 2.8W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SOIC
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