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SI4816BDY-T1-GE3

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SI4816BDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC

nicht konform

SI4816BDY-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.84005 -
5,000 $0.81090 -
12,500 $0.79500 -
0 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 5.8A, 8.2A
rds ein (max) @ id, vgs 18.5mOhm @ 6.8A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 10nC @ 5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
Leistung - max. 1W, 1.25W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SOIC
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