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SI4818DY-T1-E3

SI4818DY-T1-E3

SI4818DY-T1-E3

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC

nicht konform

SI4818DY-T1-E3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 5.3A, 7A
rds ein (max) @ id, vgs 22mOhm @ 6.3A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 800mV @ 250µA (Min)
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 12nC @ 5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
Leistung - max. 1W, 1.25W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SOIC
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Zugehörige Teilenummer

SI5515DC-T1-E3
SI7224DN-T1-E3
FDMS3668S
FDMS3668S
$0 $/Stück
VMM1500-0075P
VMM1500-0075P
$0 $/Stück
IRF7307QTRPBF
NVMFD5485NLT3G
NVMFD5485NLT3G
$0 $/Stück
SI4804BDY-T1-E3
NVMFD5875NLT3G
NVMFD5875NLT3G
$0 $/Stück
SI6925ADQ-T1-GE3

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