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SI4830ADY-T1-E3

SI4830ADY-T1-E3

SI4830ADY-T1-E3

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC

nicht konform

SI4830ADY-T1-E3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ 2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 5.7A
rds ein (max) @ id, vgs 22mOhm @ 7.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 11nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
Leistung - max. 1.1W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SOIC
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Zugehörige Teilenummer

SI7270DP-T1-GE3
IRF7342QTRPBF
SI7844DP-T1-E3
FDW2520C
FDW2520C
$0 $/Stück
CPH6616-TL-E
CPH6616-TL-E
$0 $/Stück
IRF7313PBF
STL65DN3LLH5
IRF7103PBF
SI4908DY-T1-GE3

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