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SI4840BDY-T1-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 40V 19A 8SO

nicht konform

SI4840BDY-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.76358 -
5,000 $0.72773 -
12,500 $0.70212 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 19A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 9mOhm @ 12.4A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 50 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2000 pF @ 20 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-SOIC
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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Zugehörige Teilenummer

BUK661R9-40C,118
IRF7862TRPBF
IXTT240N15X4HV
IXTT240N15X4HV
$0 $/Stück
IRFP4468PBF
IXTA3N120-TRR
IXTA3N120-TRR
$0 $/Stück
STP36N55M5
STP36N55M5
$0 $/Stück

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