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SI4900DY-T1-E3

SI4900DY-T1-E3

SI4900DY-T1-E3

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC

nicht konform

SI4900DY-T1-E3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.55440 -
5,000 $0.52668 -
12,500 $0.50688 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 5.3A
rds ein (max) @ id, vgs 58mOhm @ 4.3A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 20nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 665pF @ 15V
Leistung - max. 3.1W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SOIC
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Zugehörige Teilenummer

FDG6332C
FDG6332C
$0 $/Stück
SLA5073
SLA5073
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FDMC7208S
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CPH6635-TL-H
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$0 $/Stück
RM2520ES6
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$0 $/Stück
BSO4804HUMA2
NDS9948
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CSD85301Q2
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