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SI4909DY-T1-GE3

SI4909DY-T1-GE3

SI4909DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET 2P-CH 40V 8A 8SO

nicht konform

SI4909DY-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.49200 -
5,000 $0.46890 -
12,500 $0.45240 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 8A
rds ein (max) @ id, vgs 27mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 63nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2000pF @ 20V
Leistung - max. 3.2W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SOIC
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Zugehörige Teilenummer

DMP2040UND-7
SI1539CDL-T1-BE3
FDMS3660S
FDMS3660S
$0 $/Stück
FW216A-TL-2W
FW216A-TL-2W
$0 $/Stück
DMG6968UTS-13
SQJQ900E-T1_GE3
BUK9K134-100EX
NTLUD3A260PZTAG
NTLUD3A260PZTAG
$0 $/Stück
TC1550TG-G

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