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SI4931DY-T1-E3

SI4931DY-T1-E3

SI4931DY-T1-E3

Vishay Siliconix

MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8-SOIC

nicht konform

SI4931DY-T1-E3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.47921 -
5,000 $0.45671 -
12,500 $0.44064 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 12V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 6.7A
rds ein (max) @ id, vgs 18mOhm @ 8.9A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1V @ 350µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 52nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
Leistung - max. 1.1W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SOIC
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Zugehörige Teilenummer

DMN2053UFDB-13
DMN2016LHAB-7
FDZ2553N
FW257-TL-E-ON
FW257-TL-E-ON
$0 $/Stück
BSO615NGXUMA1
SI7922DN-T1-GE3
SPA20N60CFD
NTMD4N03R2G
NTMD4N03R2G
$0 $/Stück
NTMFD4C88NT1G
NTMFD4C88NT1G
$0 $/Stück

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