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SI4940DY-T1-GE3

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SI4940DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 40V 4.2A 8-SOIC

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SI4940DY-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
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500 $0 $0
1000 $0 $0
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2000 $0 $0
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 4.2A
rds ein (max) @ id, vgs 36mOhm @ 5.7A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 1V @ 250µA (Min)
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 14nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
Leistung - max. 1.1W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SOIC
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