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SI4946BEY-T1-GE3

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SI4946BEY-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8-SOIC

nicht konform

SI4946BEY-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.54239 -
5,000 $0.51527 -
12,500 $0.49590 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 6.5A
rds ein (max) @ id, vgs 41mOhm @ 5.3A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 25nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 840pF @ 30V
Leistung - max. 3.7W
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SOIC
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Zugehörige Teilenummer

EMH2308-TL-E
EMH2308-TL-E
$0 $/Stück
SQJB80EP-T1_BE3
BUK9K13-60EX
IRF7389PBF
RF1S17N06L
RF1S17N06L
$0 $/Stück
CSD75208W1015
2N7002DWS-7

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