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SI4952DY-T1-GE3

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SI4952DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC

nicht konform

SI4952DY-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 25V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 8A
rds ein (max) @ id, vgs 23mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 18nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 680pF @ 13V
Leistung - max. 2.8W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SOIC
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Zugehörige Teilenummer

IRF7751TR
2N7002PS/ZLH
STS5DP3LLH6
DMC2400UV
DMC2400UV
$0 $/Stück
IRF7324
IRF7324
$0 $/Stück
SP8M2FU6TB
SP8M2FU6TB
$0 $/Stück
2N7002VA-7-F
IRF7750
IRF7750
$0 $/Stück
FDMD8540L
FDMD8540L
$0 $/Stück
SI5933CDC-T1-GE3

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