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SI5509DC-T1-E3

SI5509DC-T1-E3

SI5509DC-T1-E3

Vishay Siliconix

MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8

compliant

SI5509DC-T1-E3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N and P-Channel
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 6.1A, 4.8A
rds ein (max) @ id, vgs 52mOhm @ 5A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 6.6nC @ 5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 455pF @ 10V
Leistung - max. 4.5W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SMD, Flat Lead
Lieferantengerätepaket 1206-8 ChipFET™
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Zugehörige Teilenummer

SI5517DU-T1-E3
SQ9945AEY-T1-E3
IRF7325TRPBF
IPI60R165CP
PMWD20XN,118
PMWD20XN,118
$0 $/Stück
EPC2102ENGRT
EPC2102ENGRT
$0 $/Stück
SI4501ADY-T1-GE3
SI5999EDU-T1-GE3
SI3948DV-T1-GE3

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