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SI5513CDC-T1-GE3

SI5513CDC-T1-GE3

SI5513CDC-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8

compliant

SI5513CDC-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.24368 -
6,000 $0.22883 -
15,000 $0.21398 -
30,000 $0.20358 -
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N and P-Channel
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 4A, 3.7A
rds ein (max) @ id, vgs 55mOhm @ 4.4A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 4.2nC @ 5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 285pF @ 10V
Leistung - max. 3.1W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SMD, Flat Lead
Lieferantengerätepaket 1206-8 ChipFET™
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Zugehörige Teilenummer

SIZ260DT-T1-GE3
SQJ560EP-T1_GE3
IRF9358TRPBF
CPH6424-TL-E
CPH6424-TL-E
$0 $/Stück
FDC6401N
FDC6401N
$0 $/Stück
SP8K2TB
SP8K2TB
$0 $/Stück
NTZD3155CT1G
NTZD3155CT1G
$0 $/Stück
DMN2991UDA-7B
FDPC8013S
FDPC8013S
$0 $/Stück

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