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SI5515CDC-T1-GE3

SI5515CDC-T1-GE3

SI5515CDC-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8

nicht konform

SI5515CDC-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.35595 -
6,000 $0.33285 -
15,000 $0.32130 -
30,000 $0.31500 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N and P-Channel
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 4A
rds ein (max) @ id, vgs 36mOhm @ 6A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 800mV @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 11.3nC @ 5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 632pF @ 10V
Leistung - max. 3.1W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SMD, Flat Lead
Lieferantengerätepaket 1206-8 ChipFET™
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Zugehörige Teilenummer

DMP3028LSD-13
NTHD4502NT1G
NTHD4502NT1G
$0 $/Stück
DMC1028UVT-7
FDPC8014S
FDPC8014S
$0 $/Stück
MMDF2P02ER2G
MMDF2P02ER2G
$0 $/Stück
SQJ992EP-T1_BE3
CSD87588N
CSD87588N
$0 $/Stück
DMN53D0LV-7

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