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SI5515DC-T1-GE3

SI5515DC-T1-GE3

SI5515DC-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N/P-CH 20V 4.4A 1206-8

nicht konform

SI5515DC-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N and P-Channel
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 4.4A, 3A
rds ein (max) @ id, vgs 40mOhm @ 4.4A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 7.5nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
Leistung - max. 1.1W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SMD, Flat Lead
Lieferantengerätepaket 1206-8 ChipFET™
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Zugehörige Teilenummer

NTJD3158CT2G
NTJD3158CT2G
$0 $/Stück
NTHC5513T1
NTHC5513T1
$0 $/Stück
NTJD4401NT4G
NTJD4401NT4G
$0 $/Stück
SI5935DC-T1-GE3
SI6967DQ-T1-E3
IRF7338TRPBF
PMV50ENEA,215
SI6983DQ-T1-E3
SI6975DQ-T1-GE3
DMN5L06VK-13

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