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SI5908DC-T1-GE3

SI5908DC-T1-GE3

SI5908DC-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8

nicht konform

SI5908DC-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.65600 -
6,000 $0.62520 -
15,000 $0.60320 -
6000 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 4.4A
rds ein (max) @ id, vgs 40mOhm @ 4.4A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 7.5nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
Leistung - max. 1.1W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SMD, Flat Lead
Lieferantengerätepaket 1206-8 ChipFET™
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