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SI5915DC-T1-E3

SI5915DC-T1-E3

SI5915DC-T1-E3

Vishay Siliconix

MOSFET 2P-CH 8V 3.4A 1206-8

nicht konform

SI5915DC-T1-E3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ 2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 8V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 3.4A
rds ein (max) @ id, vgs 70mOhm @ 3.4A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 450mV @ 250µA (Min)
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 9nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
Leistung - max. 1.1W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SMD, Flat Lead
Lieferantengerätepaket 1206-8 ChipFET™
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Zugehörige Teilenummer

IRF7311PBF
SI4830ADY-T1-GE3
ECH8601M-TL-H
ECH8601M-TL-H
$0 $/Stück
SP8M24FRATB
NTJD2152PT2
NTJD2152PT2
$0 $/Stück

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