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SI6467BDQ-T1-E3

SI6467BDQ-T1-E3

SI6467BDQ-T1-E3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 12V 6.8A 8-TSSOP

compliant

SI6467BDQ-T1-E3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 12 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 6.8A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) -
rds ein (max) @ id, vgs 12.5mOhm @ 8A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 850mV @ 450µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 70 nC @ 4.5 V
vgs (max) -
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) -
Betriebstemperatur -
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-TSSOP
Paket / Koffer 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
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Zugehörige Teilenummer

ZVN4210GTC
SI4406DY-T1-GE3
SP001606042
IRF8707GTRPBF
STP100NF04
STP100NF04
$0 $/Stück
LSIC1MO120G0080

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