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SI6968BEDQ-T1-GE3

SI6968BEDQ-T1-GE3

SI6968BEDQ-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-TSSOP

compliant

SI6968BEDQ-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.26374 -
6,000 $0.24663 -
15,000 $0.23807 -
30,000 $0.23340 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 5.2A
rds ein (max) @ id, vgs 22mOhm @ 6.5A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1.6V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 18nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
Leistung - max. 1W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-TSSOP
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