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SI7113DN-T1-GE3

SI7113DN-T1-GE3

SI7113DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 100V 13.2A PPAK

compliant

SI7113DN-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.78720 -
6,000 $0.75024 -
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 13.2A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 134mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 55 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1480 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Betriebstemperatur -50°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8
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Zugehörige Teilenummer

SCH1436-TL-W
SCH1436-TL-W
$0 $/Stück
FQD1N50TM
NVTFS4C08NWFTWG
NVTFS4C08NWFTWG
$0 $/Stück
SUM90220E-GE3
BUZ73A
BUZ73A
$0 $/Stück

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