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SI7116BDN-T1-GE3

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SI7116BDN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 40V 18.4A/65A PPAK

nicht konform

SI7116BDN-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.21000 $1.21
500 $1.1979 $598.95
1000 $1.1858 $1185.8
1500 $1.1737 $1760.55
2000 $1.1616 $2323.2
2500 $1.1495 $2873.75
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 18.4A (Ta), 65A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) -
rds ein (max) @ id, vgs 7.4mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 48 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1915 pF @ 20 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8
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Zugehörige Teilenummer

CSD18535KCS
CSD18535KCS
$0 $/Stück
SI2387DS-T1-GE3
IRF7204TRPBF
STF17NF25
STF17NF25
$0 $/Stück
FCD380N60E
FCD380N60E
$0 $/Stück
IRLB8743PBF
DMG2302UKQ-13
NTP7D3N15MC
NTP7D3N15MC
$0 $/Stück

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