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SI7117DN-T1-E3

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Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 150V 2.17A PPAK

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SI7117DN-T1-E3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.54481 -
6,000 $0.51923 -
15,000 $0.50096 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 150 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 2.17A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 6V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.2Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 12 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 510 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.2W (Ta), 12.5W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8
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Zugehörige Teilenummer

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NTE2931
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$0 $/Stück
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NTR4501NST1G
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$0 $/Stück
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