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SI7117DN-T1-GE3

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SI7117DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 150V 2.17A PPAK

SOT-23

nicht konform

SI7117DN-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.62320 -
6,000 $0.59394 -
15,000 $0.57304 -
0 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 150 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 2.17A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 6V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.2Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 12 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 510 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.2W (Ta), 12.5W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8
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Zugehörige Teilenummer

RV2C001ZPT2L
SI4464DY-T1-E3
SI1308EDL-T1-GE3
TPIC5621LDW
TPIC5621LDW
$0 $/Stück
IXTQ42N25P
IXTQ42N25P
$0 $/Stück
SI2303CDS-T1-BE3
RM120N85T2
RM120N85T2
$0 $/Stück
IRFB52N15DPBF
NVMFS5C638NLWFT1G
NVMFS5C638NLWFT1G
$0 $/Stück

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