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SI7120DN-T1-GE3

SI7120DN-T1-GE3

SI7120DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 60V 6.3A 1212-8

compliant

SI7120DN-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 6.3A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) -
rds ein (max) @ id, vgs 19mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 45 nC @ 10 V
vgs (max) -
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) -
Betriebstemperatur -
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8
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Zugehörige Teilenummer

IRF644NSTRL
IRF644NSTRL
$0 $/Stück
DMS2085LSD-13
SI4886DY-T1-E3
NVMFS5C404NLWFT1G
NVMFS5C404NLWFT1G
$0 $/Stück
IRF3706S
2N6661-E3
2N6661-E3
$0 $/Stück

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