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SI7123DN-T1-GE3

SI7123DN-T1-GE3

SI7123DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 20V 10.2A PPAK1212-8

compliant

SI7123DN-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.45920 -
6,000 $0.43764 -
15,000 $0.42224 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 10.2A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 1.8V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 10.6mOhm @ 15A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 90 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±8V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3729 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.5W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8
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Zugehörige Teilenummer

BUK9Y07-30B,115
PSMN6R1-25MLD,115
BUK7Y12-80EX
BUK7624-55,118
BUK7624-55,118
$0 $/Stück
IRF7353D1TR
IRF6215PBF
IXTV102N20T
IXTV102N20T
$0 $/Stück
IRFBC20
IRFBC20
$0 $/Stück
PHD37N06LT,118
PHD37N06LT,118
$0 $/Stück

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