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SI7129DN-T1-GE3

SI7129DN-T1-GE3

SI7129DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 30V 35A PPAK1212-8

compliant

SI7129DN-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.46740 -
6,000 $0.44546 -
15,000 $0.42978 -
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 35A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 11.4mOhm @ 14.4A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.8V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 71 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3345 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.8W (Ta), 52.1W (Tc)
Betriebstemperatur -50°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8
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Zugehörige Teilenummer

PSMN7R5-30YLDX
FQP12N60C
FQP12N60C
$0 $/Stück
NTTFS5C454NLTAG
NTTFS5C454NLTAG
$0 $/Stück
FDMC7570S
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$0 $/Stück
IXTA86N20T
IXTA86N20T
$0 $/Stück
IPW60R250CP

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