SI7159DP-T1-GE3 Vishay Siliconix von ichome.com

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Teilenummer des Herstellers:SI7159DP-T1-GE3

Beschreibung:MOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8

RoHs-Status:compliant

Menge	Stückpreis	Ext. Preis
3,000	$0.72380	-

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Name	Wert
Produktstatus	Active
FET-Typ	P-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS)	30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C	30A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an)	4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs	7mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ ID	2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs	180 nC @ 10 V
vgs (max)	±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds	5170 pF @ 15 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	5.4W (Ta), 83W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer	PowerPAK® SO-8