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SI7178DP-T1-GE3

SI7178DP-T1-GE3

SI7178DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8

compliant

SI7178DP-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $1.26451 -
6,000 $1.22063 -
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 60A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 14mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 72 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2870 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
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Zugehörige Teilenummer

RRH050P03GZETB
EPC2034C
EPC2034C
$0 $/Stück
NTMFS015N10MCLT1G
NTMFS015N10MCLT1G
$0 $/Stück
HUF76639S3ST
HUF76639S3ST
$0 $/Stück
PMV62XN215
PMV62XN215
$0 $/Stück

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