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SI7317DN-T1-GE3

SI7317DN-T1-GE3

SI7317DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 150V 2.8A PPAK1212-8

compliant

SI7317DN-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.51975 -
6,000 $0.49376 -
15,000 $0.47520 -
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 150 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 2.8A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 6V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.2Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 9.8 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 365 pF @ 75 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8
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Zugehörige Teilenummer

MSJW20N65-BP
CPH6355-TL-H
CPH6355-TL-H
$0 $/Stück
FQPF7N20
FCH085N80-F155
FCH085N80-F155
$0 $/Stück
STP23NM50N
STP23NM50N
$0 $/Stück
IXTH140P10T
IXTH140P10T
$0 $/Stück
BUK7227-100B,118
2N7002P,235
2N7002P,235
$0 $/Stück
NTMFS5C430NLT1G
NTMFS5C430NLT1G
$0 $/Stück

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