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SI7322ADN-T1-GE3

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SI7322ADN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 100V 15.1A PPAK

nicht konform

SI7322ADN-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.29069 -
6,000 $0.27183 -
15,000 $0.26240 -
30,000 $0.25725 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 15.1A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 57mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 13 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 360 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 26W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8
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Zugehörige Teilenummer

NVD6495NLT4G-VF01
NVD6495NLT4G-VF01
$0 $/Stück
RSH070N05GZETB
BSP126/S911115
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$0 $/Stück
SQ3426AEEV-T1_GE3
NTNS3166NZT5G
NTNS3166NZT5G
$0 $/Stück
STL45P3LLH6
NVMFS5C468NLAFT3G
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$0 $/Stück

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