Welcome to ichome.com!
Name | Wert |
---|---|
Produktstatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (VDSS) | 100 V |
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C | - |
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) | 10V |
rds ein (max) @ id, vgs | 58mOhm @ 5.5A, 10V |
vgs(th) (max) @ ID | 4.4V @ 250µA |
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs | 20 nC @ 10 V |
vgs (max) | ±20V |
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds | 750 pF @ 50 V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 3.8W (Ta), 52W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montageart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | PowerPAK® 1212-8 |
Paket / Koffer | PowerPAK® 1212-8 |
Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.