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SI7322DN-T1-E3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 100V 18A PPAK 1212-8

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SI7322DN-T1-E3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.81180 -
6,000 $0.77369 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C -
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 58mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 20 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 750 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8
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Zugehörige Teilenummer

NTMS5838NLR2G
NTMS5838NLR2G
$0 $/Stück
IXFP3N120
IXFP3N120
$0 $/Stück
DMN4800LSSQ-13
FCH077N65F-F085
FCH077N65F-F085
$0 $/Stück
IRF9388TRPBF
RF1K49157
SI8821EDB-T2-E1
SI1021R-T1-GE3
SIHP15N60E-GE3
NDD60N360U1T4G
NDD60N360U1T4G
$0 $/Stück

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