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SI7415DN-T1-E3

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SI7415DN-T1-E3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 60V 3.6A PPAK1212-8

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SI7415DN-T1-E3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.69798 -
6,000 $0.66521 -
15,000 $0.64180 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 3.6A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 65mOhm @ 5.7A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 25 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.5W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8
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Zugehörige Teilenummer

PMPB23XNEAX
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DMP3017SFK-13
STF33N65M2
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NTMFS5C673NLT1G
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IXTQ74N20P
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NTTFS4C10NTWG
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NVMFS5C423NLWFAFT1G
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