Welcome to ichome.com!

logo
Heim

SI7456CDP-T1-GE3

SI7456CDP-T1-GE3

SI7456CDP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 100V 27.5A PPAK SO-8

nicht konform

SI7456CDP-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.85590 -
6,000 $0.82620 -
0 items
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 27.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 23.5mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.8V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 23 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 730 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 5W (Ta), 35.7W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.