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SI7476DP-T1-GE3

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SI7476DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 40V 15A PPAK SO-8

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SI7476DP-T1-GE3 Preise und Bestellung

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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 15A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 5.3mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 177 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.9W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
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Zugehörige Teilenummer

ZXMN2A02X8TA
IRF7484Q
IRF7832ZTR
ATP107-TL-H
ATP107-TL-H
$0 $/Stück
STW19NM65N
STW19NM65N
$0 $/Stück
MTD5P06VT4
MTD5P06VT4
$0 $/Stück
IRF2807ZLPBF
IRF540ZL
IRF740B

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