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SI7623DN-T1-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8

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SI7623DN-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.78720 -
6,000 $0.75024 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 35A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 2.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 3.8mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 180 nC @ 10 V
vgs (max) ±12V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 5460 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8
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Zugehörige Teilenummer

NVTFS005N04CTAG
NVTFS005N04CTAG
$0 $/Stück
R5007ANX
R5007ANX
$0 $/Stück
SI2301CDS-T1-BE3
BSO203PH
SI7738DP-T1-E3
DMN3025LFV-13
BUK7M5R0-40HX

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