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SI7625DN-T1-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 30V 35A PPAK1212-8

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SI7625DN-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.53136 -
6,000 $0.50641 -
15,000 $0.48859 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 35A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 7mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 126 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 4427 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8
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Zugehörige Teilenummer

ZXM62P03E6TA
DMT6015LSS-13
FDMC8678S
STWA72N60DM2AG
IRF740ALPBF
IRF740ALPBF
$0 $/Stück
STP10LN80K5
SQJ840EP-T1_GE3
IRL100HS121
SIHP15N50E-GE3

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