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SI7686DP-T1-GE3

SI7686DP-T1-GE3

SI7686DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8

compliant

SI7686DP-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.80835 -
6,000 $0.78030 -
615 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 35A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 9.5mOhm @ 13.8A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 26 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1220 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 5W (Ta), 37.9W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
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Zugehörige Teilenummer

SI2329DS-T1-GE3
SUD35N10-26P-GE3
FCH104N60F-F085
FCH104N60F-F085
$0 $/Stück
DMP2023UFDF-7
DMN21D2UFB-7
FDMC86520L
FDMC86520L
$0 $/Stück
FQU17P06TU
FQU17P06TU
$0 $/Stück

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