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SI7718DN-T1-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8

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SI7718DN-T1-GE3 Preise und Bestellung

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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 35A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 6mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 45 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1600 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8
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Zugehörige Teilenummer

IRFIBF30G
IRFIBF30G
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STW75NF30
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BUK9509-55A,127
BUK9509-55A,127
$0 $/Stück
SI4466DY-T1-E3
IRF3711SPBF
IPB47N10SL-26
NTD4863NA-1G
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IRF7220GTRPBF

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