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SI7788DP-T1-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8

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SI7788DP-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $1.47405 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 50A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 3.1mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 125 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 5370 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 5.2W (Ta), 69W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
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Zugehörige Teilenummer

ZVN3310FTA
NTHS4166NT1G
NTHS4166NT1G
$0 $/Stück
IXFH22N60P
IXFH22N60P
$0 $/Stück
STD30N6LF6AG
SI4463CDY-T1-GE3
SIHFL9014TR-GE3
PHB45NQ15T,118
SI7434DP-T1-GE3

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