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SI7810DN-T1-E3

SI7810DN-T1-E3

SI7810DN-T1-E3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 100V 3.4A PPAK1212-8

compliant

SI7810DN-T1-E3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.58860 -
6,000 $0.56096 -
15,000 $0.54122 -
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 3.4A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 6V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 62mOhm @ 5.4A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 17 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.5W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8
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Zugehörige Teilenummer

APT8015JVR
NTTS2P02R2
NTTS2P02R2
$0 $/Stück
IRFBC40LCPBF-BE3
MSJU11N65-TP
SI2301-3A
SI2301-3A
$0 $/Stück
APT7F120B
IRFR4510TRPBF
IXFX24N100
IXFX24N100
$0 $/Stück

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