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SI7812DN-T1-GE3

SI7812DN-T1-GE3

SI7812DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 75V 16A PPAK1212-8

compliant

SI7812DN-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $1.06195 -
6,000 $1.02510 -
10995 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 75 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 16A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 37mOhm @ 7.2A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 24 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 840 pF @ 35 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8
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Zugehörige Teilenummer

ZXMN2A02N8TA
IRFBA1404PPBF
VP0550N3-G
SIHS36N50D-GE3
IRFR210TRRPBF
STH410N4F7-2AG
FQD3N60CTM-WS
FQD3N60CTM-WS
$0 $/Stück

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