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SI7820DN-T1-E3

SI7820DN-T1-E3

SI7820DN-T1-E3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 200V 1.7A PPAK1212-8

compliant

SI7820DN-T1-E3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.67601 -
6,000 $0.64427 -
15,000 $0.62160 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 200 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 1.7A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 6V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 240mOhm @ 2.6A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 18 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.5W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8
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Zugehörige Teilenummer

NVHL160N120SC1
NVHL160N120SC1
$0 $/Stück
SIS447DN-T1-GE3
CSD18532NQ5BT
IXFH26N50P3
IXFH26N50P3
$0 $/Stück
IXTP32P20T
IXTP32P20T
$0 $/Stück
STL56N3LLH5
STD60NF06T4
SI3499DV-T1-GE3

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