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SI7850DP-T1-GE3

SI7850DP-T1-GE3

SI7850DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8

compliant

SI7850DP-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.84354 -
6,000 $0.81427 -
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 6.2A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 22mOhm @ 10.3A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 27 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.8W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
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Zugehörige Teilenummer

NXV65UPR
NXV65UPR
$0 $/Stück
FQB8N60CTM
FQB8N60CTM
$0 $/Stück
STL130N8F7
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$0 $/Stück
SIR876BDP-T1-RE3
NVTFS4C25NTAG
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$0 $/Stück
IXTH52N65X
IXTH52N65X
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