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SI7880ADP-T1-E3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

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SI7880ADP-T1-E3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $2.17987 -
1432 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 40A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 3mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 125 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 5600 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 5.4W (Ta), 83W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
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Zugehörige Teilenummer

IRLI3705NPBF
IRLU014PBF
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PSMN014-80YLX
IXTQ16N50P
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$0 $/Stück
IXFN170N10
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$0 $/Stück
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