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SI7884BDP-T1-E3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8

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SI7884BDP-T1-E3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $1.64115 -
6,000 $1.58340 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 58A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 7.5mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 77 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3540 pF @ 20 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 4.6W (Ta), 46W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
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